Small Signal MOSFETs | FDS86540

N チャネル PowerTrench® MOSFET 60V、18A、4.5mΩ

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Datasheet

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Overview

この N チャネル MOSFET は、同期または従来のスイッチング PWM コントローラを使用して、DC/DC コンバータの全体的な効率を改善し、スイッチノードのリンギングを最小限に抑えるために特別に設計されています。低ゲート電荷、低 RDS (ON)、高速スイッチング速度およびボディ・ダイオードの逆回復性能向けに最適化されています。

  • 家電製品
  • Primary Switch in Insolated DC-DC
  • Synchronous Rectifier
  • Load Switch

  • 最大 rDS(on) = 4.5 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 18 A
  • 最大 rDS(on) = 5.4 mΩ @ VGS = 8 V、ID = 16.5 A
  • 超低rDS(on)
    用の高性能トレンチ技術
  • 広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS対応

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS86540

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

Y

N-Channel

PowerTrench® T6

SOIC-8

Small Signal

Standard

0

Single

0

60

4.5

±20

4

18

5

-

-

-

53

4820

13

44

1610

67

$1.3659

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDS86540

Equivalent to wafer fab process: T9

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T9

0

1733101746

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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