Small Signal MOSFETs | FDS8958A

デュアル N & P チャネル PowerTrench® MOSFET 30V

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これらデュアル N および P チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な PowerTrench プロセスを使用して製造されています。これらのデバイスは、インライン型の低い電力損失と高速スイッチングが必要な低電圧およびバッテリ駆動アプリケーションに最適です。

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  • Q1: Nチャンネル7.0A、30V
    RDS(ON)=0.028Ω@VGS=10V
    RDS(ON)=0.040Ω@VGS=4.5V
  • Q2: Pチャンネル-5A、-30V
    RDS(ON)=0.052Ω@VGS=-10V
    RDS(ON)=0.080Ω@VGS=-4.5V
  • 高速スイッチング速度。
  • 表面実装パッケージで広く採用されている高出力、高処理能力

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS8958A

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

N

Complementary

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Dual

0

±30

N: 28.0 , P: 52.0

±20

± 3.0

N: 7.0, P: 5.0

2

-

N: 40.0 , N: 80.0

-

N: 11.5, P:9.6

N: 575, Q2:528

N: 2.1, P: 1.7

N: 9, P: 6

N: 145, P: 132

N: 65, P: 132

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信頼性データ

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Device: FDS8958A

Equivalent to wafer fab process: T2,TT

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T2,TT

0

1232593966

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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