Small Signal MOSFETs | FDS9431A_F085

P チャネル 2.5V 仕様 MOSFET -20V、-3.5A、130mΩ

Obsolete

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Overview

この P チャネル 2.5V 仕様 MOSFET は、独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するように構成されており、かつ優れたスイッチング性能を維持します。

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  • 快適性と利便性
  • ボディエレクトロニクス
  • 車両安全システム
  • その他のオートモーティブ

  • -3.5 A、 -20 V。RDS(ON)=0.130Ω @ VGS=-4.5V RDS(ON)=0.180Ω @ VGS=-2.5V
  • 高速スイッチング速度
  • 超低DS(ON)用の高密度セル設計
  • 高電力および電流処理能力
  • AEC Q101認定
  • RoHS に対応

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CAD Models

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS9431A-F085

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

N

P-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Single

0

-20

0.13

8

-1

-3.5

2.5

NA

180

6.2

6

NA

1.3

-

170

45

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SOIC-8

751EB

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P-Channel

PowerTrench® T1

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Small Signal

Standard

0

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NA

NA

NA

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信頼性データ

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Device: FDS9431A-F085

Equivalent to wafer fab process: TQ

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TQ

0

297078770

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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