Small Signal MOSFETs | FDS9945

Nチャネル Power Trench® MOSFET、60V、3.5A、100mΩ

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Overview

これらのNチャネル Logic Level MOSFETは、同期または従来のスイッチングPWMコントローラーを使用して、DC/DCコンバーターの全体的な効率を改善するために特別に設計されています。MOSFETは、同等のRDS（on）仕様を持つ他のMOSFETよりも高速なスイッチングおよび低ゲート電荷を特長としています。その結果、（非常に高い周波数でも）駆動が容易で安全なMOSFETと、全体的な効率が向上したDC / DC電源設計を実現します。

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  • DC/DC Converters

  • 3.5 A、60 V
  • RDS(ON) = 0.100Ω @ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 0.200Ω @ VGS = 4.5 V
  • PWMコントローラーによるDC/DCコンバーターのスイッチングでの使用に最適化
  • 超高速スイッチング
  • 少量のゲート電荷

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS9945

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Dual

0

60

Q1=Q2=100

±20

3

3.5

2

-

Q1=Q2=200

-

8

420

2.5

-

48

20

$0.2297

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信頼性データ

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Device: FDS9945

Equivalent to wafer fab process: TR

製品技術

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等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TR

1

1603286882

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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