-20V PチャンネルPowerTrench® MOSFET

Obsolete

Overview

このPチャンネルMOSFETは、オン状態抵抗を最小化し、優れたスイッチング性能を維持するように最適化されたフェアチャイルドセミコンダクターの高度なPowerTrench® プロセスを使用して製造されます。

  • Active Clamp Switch
  • Load Switch

  • 最大 rDS(on) = 108 mΩ @ VGS = -4.5 V、ID = -1.15 A
  • 最大 rDS(on) = 121 mΩ @ VGS = -2.5 V、 ID = -0.7 A
  • 超低 rDS(on) 、低 Qg用に最適化された中電圧Pチャンネルシリコン技術
  • この製品は、負荷スイッチ用途だけでなく高速スイッチングにも最適化します。
  • 100% UILテスト済み
  • RoHS準拠

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDV045P20L

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23-3

1

260

REEL

3000

N

P-Channel

PowerTrench® T1

SOT-23-3

Small Signal

Logic

0

Single

0

-20

-

8

-1.5

-1.15

1.6

121

108

0.22

4.4

812

-

-

-

-

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