NチャネルデジタルFET 25V、0.68A、0.45Ω

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Overview

これらのNチャネル拡張モード電界効果トランジスタは独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特に低ゲート駆動j条件でオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、特にリチウム1個またはカドミウム3個またはNMHセルを使用するバッテリー回路での用途向けに設計されています。インバーターとして、または携帯電話やポケットベルなどのコンパクトなポータブル電子機器での高効率の小型ディスクリートDC / DC変換に使用できます。このデバイスは、2.5ボルトという低いゲート駆動電圧でも優れたオン抵抗を発揮します。

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  • • 25 V、 0.68 A 連続、 2 A ピーク。
  • RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS = 4.5 V
  • RDS(ON) = 0.6 Ω @ VGS= 2.7 V
    • 非常に低いレベルのゲートドライブ要件によって、3V回路で直接操作が可能。 VGS(th) < 1.5V.
    • ESD堅牢性のためのゲートソースツェナー >6kV人体モデル。
    • コンパクトな業界標準 SOT-23表面実装型パッケージ
    • TN0200T と TN0201T に代わる。
  • Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGS(th) < 1.0V
  • Gate-Source Zener for ESD ruggedness. >6kV Human Body Model
  • Compact industry standard SOT-23 surface mount package
  • Alternative to TN0200T and TN0201T

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDV303N

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23 (TO-236) 2.90x1.30x1.00, 1.90P

1

260

REEL

3000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

SOT-23

Small Signal

Logic

0

Single

0

25

-

8

1

0.68

0.35

600

450

2.3

-

50

0.45

-

28

9

$0.0493

More Details

FDV303N-F169

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23 (TO-236) 2.90x1.30x1.00, 1.90P

1

260

REEL

3000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

SOT-23-3/5

Small Signal

Logic

0

Single

0

25

-

8

8

0.68

0.35

600

450

2.3

-

50

0.45

-

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