Small Signal MOSFETs | FDV303N

NチャネルデジタルFET 25V、0.68A、0.45Ω

Active

Similar Products

Datasheet

購入

Overview

これらのNチャネル拡張モード電界効果トランジスタは独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特に低ゲート駆動j条件でオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、特にリチウム1個またはカドミウム3個またはNMHセルを使用するバッテリー回路での用途向けに設計されています。インバーターとして、または携帯電話やポケットベルなどのコンパクトなポータブル電子機器での高効率の小型ディスクリートDC / DC変換に使用できます。このデバイスは、2.5ボルトという低いゲート駆動電圧でも優れたオン抵抗を発揮します。

  • ă�“ă�®čŁ˝ĺ“�ă�Żĺ¤šć§�ă�Şç”¨é€”ă�«é�©ă�—ă�źć±Žç”¨ĺ“�ă�§ă�™ă€‚
  • • 25 V、 0.68 A 連続、 2 A ピーク。
  • RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS = 4.5 V
  • RDS(ON) = 0.6 Ω @ VGS= 2.7 V
    • 非常に低いレベルのゲートドライブ要件によって、3V回路で直接操作が可能。 VGS(th) < 1.5V.
    • ESD堅牢性のためのゲートソースツェナー >6kV人体モデル。
    • コンパクトな業界標準 SOT-23表面実装型パッケージ
    • TN0200T と TN0201T に代わる。
  • Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGS(th) < 1.0V
  • Gate-Source Zener for ESD ruggedness. >6kV Human Body Model
  • Compact industry standard SOT-23 surface mount package
  • Alternative to TN0200T and TN0201T

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FDV303N

CAD Model

CAD Model

材料組成

製品変更通知

信頼性

Buy/Parametrics Table

検索

Close Search

製品:

2

共有

並べ替え

Product Groups:

┗

Orderable Parts:

2

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDV303N

Loading...

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23 (TO-236) 2.90x1.30x1.00, 1.90P

318

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

SOT-23

Small Signal

Logic

0

Single

0

25

-

8

1

0.68

0.35

600

450

2.3

-

50

0.45

-

28

9

$0.0333

More Details

FDV303N-F169

Loading...

Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23 (TO-236) 2.90x1.30x1.00, 1.90P

318

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

SOT-23-3/5

Small Signal

Logic

0

Single

0

25

-

8

8

0.68

0.35

600

450

2.3

-

50

0.45

-

28

9

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

1
contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.

信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDV303N

Equivalent to wafer fab process: TP

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TP

8

1061074922

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

新しい検索