P チャネル 1.7V PowerTrench® WL-CSP MOSFET -20V、-1A、90mΩ

Obsolete

Overview

最先端の「低ピッチ」WLCSP パッケージングプロセスを備えた高度な 1.7V PowerTrench プロセスで設計された FDZ193P は、PCB スペースおよび rDS(on) の両方を最小限に抑えます。この高度な WLCSP MOSFET はパッケージング技術の進歩を体現し、これにより、デバイスでの優れた熱伝達特性、超ロープロファイルのパッケージング、低ゲート電荷、および低 rDS(on) の組み合わせを実現しました。

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  • Battery Management
  • Load Switch
  • Battery Protection

  • 最大 rDS(on) = 90mΩ @ VGS = -4.5V、ID = -1A
  • 最大 rDS(on) = 130mΩ @ VGS = -2.5V、ID = -1A
  • 最大 rDS(on) = 300mΩ @ VGS = -1.7V、ID = -1A
  • わずか1.5mm² の基板面積を占め、2x2 BGAの50%未満です
  • 超薄型パッケージ: PCBにマウント時、高さは0.65 mm未満
  • RoHS対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDZ193P

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

WLCSP-6

1

260

REEL

5000

N

P-Channel

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Logic

0

Single

0

-20

90

12

-1.5

-1

1.9

NA

130

12

7

NA

-

-

-

-

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