P チャネル 1.5V 仕様 PowerTrench® 薄型 WL-CSP MOSFET -20V、-3.7A、78mΩ

Obsolete

Overview

最先端の「ファイン・ピッチ」薄型 WLCSP パッケージング・プロセスを使用した高度な 1.5V PowerTrench プロセスで設計された FDZ375P は、PCB スペースおよび rDS(on) の両方を最小限に抑えます。この高度な WLCSP MOSFET はパッケージング技術の進歩を体現し、これにより、デバイスでの優れた熱伝達特性、超低プロファイルのパッケージング、低ゲート電荷、および低 rDS(on) の組み合わせを実現しました。

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  • Battery Management
  • Load Switch
  • Battery Protection
  • 最大 rDS(on) = 78 mΩ @ VGS = -4.5 V、ID = -2.0 A
  • 最大 rDS(on) = 92 mΩ @ VGS = -2.5 V、ID = -1.5 A
  • 最大 rDS(on) = 112 mΩ @ VGS = -1.8 V、ID = -1.0 A
  • 最大 rDS(on) = 150 mΩ @ VGS = -1.5 V、ID = -1.0 A
  • PCB面積のわずか1.0 mm2を占めています。 2 x 2 BGA面積の30%未満
  • PCB面積のわずか1.0 mm2を占めています。 2 x 2 BGA面積の30%未満
  • RoHS対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDZ375P

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

WLCSP-4

1

260

REEL

5000

No

P-Channel

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Logic

0

Single

0

-20

-

8

-1.2

-3.7

1.7

NA

92

6.3

11

NA

-

-

-

-

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