Power MOSFET、Pチャネル、QFET®、-150 V、-36 A、90 mΩ、TO-3P

Overview

このPチャネル拡張モードPower MOSFETは独自のプレーナストライプおよびDMOS技術を使用して製造されています。この高度なMOSFET技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、オーディオアンプ、DCモーター制御、および可変スイッチング電源アプリケーションに適しています。

  • その他のオーディオ&ビデオ
  • Switched Mode Power Supplies
  • Audio Amplifiers
  • DC Motor Control
  • Variable Switching Power Applications

  • -36A、-150V、RDS(on) = 90mΩ(最大) @VGS = -10 V、ID = -18A
  • 少量のゲート電荷 (通常 81nC)
  • 低Crss (通常 110pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 最大175℃の接合部温度定格

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQA36P15

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-3P-3L

NA

0

TUBE

450

N

P-Channel

PowerTrench® T1

TO-3P-3

Small Signal

Standard

0

Single

0

-150

90

±30

-4

-36

294

-

-

-

81

2550

42

1450

710

110

$1.7034

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