Power MOSFET、Nチャネル、QFET®、250 V、62 A、35 mΩ、TO-3P

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このNチャネル拡張モードPower MOSFETは独自のプレーナストライプおよびDMOS技術を使用して製造されています。この高度なMOSFET技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、アクティブ力率補正(PFC)、および電子ランプバラストに適しています。

  • その他のオーディオ&ビデオ
  • Switched Mode Power Supplies
  • Active Power Factor Correction (PFC)
  • Electronic Lamp Ballasts
  • 62A、 250V、 RDS(on) = 35mΩ(最大) @VGS = 10 V、 ID = 31A
  • 少量のゲート電荷 (通常 100nC)
  • 低Crss (通常 63.5pF)
  • 100%電子なだれテスト済み

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQA62N25C

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-3P-3L

NA

0

TUBE

450

No

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-3P-3

Small Signal

Standard

0

Single

0

250

35

±30

4

62

298

-

-

-

100

4830

39

4770

945

63.5

Price N/A

More Details

FQA62N25CPWD

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

E-PKG AXIAL-LEADED GLASS DIODE

NA

-

RAIL

1

No

N-Channel

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Standard

0

Single

0

250

35

±30

4

62

298

-

-

-

100

4830

39

4770

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