Small Signal MOSFETs | FQP15P12

パワー MOSFET、P チャネル、QFET®、-120 V、-15 A、0.2 Ω、DPAK

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Datasheet

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Overview

この P チャネル・エンハンスメント・モード・パワー MOSFET は、独自のプレーナ・ストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、オーディオ・アンプ、DC モータ制御、および可変スイッチング電源アプリケーションに適しています。

  • Switched Mode Power Supplies
  • Audio Amplifier
  • DC Motor Control
  • Variable Switching Power Applications

  • -15 A、-120V、RDS(on)=0.2 Ω(最大)@VGS=-10V、ID=-7.5A
  • 少量のゲート電荷(通常 29nC)
  • 低Crss (通常 110pF)
  • 100%アバランシェテスト済み
  • 最大175°Cジャンクション温度定格

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQP15P12

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-

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29

850

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310

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FQP15P12

Equivalent to wafer fab process: 3D

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3D

10

304347029

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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