Small Signal MOSFETs | FQPF9P25YDTU

P チャネル QFET® MOSFET -250 V、-6 A、620 mΩ

Obsolete

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Overview

この P チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、当社独自のプレーナ・ストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチ・モード電源、オーディオ・アンプ、DC モータ制御、および可変スイッチング電源アプリケーションに適しています。

  • Switched Mode Power Supplies
  • Audio Amplifiers
  • DC Motor Control
  • Variable Switching Power Applications

  • -6 A、-250 V、RDS(on) = 620 mΩ（最大） @ VGS = -10 V、ID = -3 A
  • 少量のゲート電荷 (通常 29nC）
  • 低Crss(通常 27 pF）
  • 100%電子なだれテスト済み

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQPF9P25YDTU

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

340BJ

NA

0

TUBE

800

N

P-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

Small Signal

Standard

0

Single

0

-250

620

-5

-5

-6

50

-

-

-

29

910

14

1450

170

27

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FQPF9P25YDTU

Equivalent to wafer fab process: 3D

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3D

10

304347029

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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