Power MOSFET、Nチャネル、QFET®、250V、0.83A、1.75Ω、SOT-223

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このNチャネル拡張モードPower MOSFETはフェアチャイルド・セミコンダクター独自のプレーナストライプおよびDMOS技術を使用して製造されています。この高度なMOSFET技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、アクティブ力率補正(PFC)、および電子ランプバラストに適しています。

  • LED TV
  • 0.83A、 250V、 RDS(on) = 1.75Ω(最大) @VGS = 10 V、ID = 0.415A
  • 少量のゲート電荷 (通常 4.3nC)
  • 低Crss (通常 4.8pF))

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQT4N25TF

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

1

260

REEL

4000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

SOT-223-4

Small Signal

Standard

0

Single

0

250

1750

±30

5

0.83

2.5

-

-

-

4.3

155

2.1

350

35

4.8

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