Small Signal MOSFETs | FQT5P10

Pチャネル QFET® MOSFET -100V、-1.0A、1.05Ω

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このPチャネル拡張モードPower MOSFETはフェアチャイルド・セミコンダクター独自のプレーナストライプおよびDMOS技術を使用して製造されています。この高度なMOSFET技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、オーディオアンプ、DCモーター制御、および可変スイッチング電源アプリケーションに適しています。

  • その他の産業用
  • -1.0A、 -100V、 RDS(on) = 1.05Ω(最大) @VGS = -10 V、 ID = -0.5A
  • 少量のゲート電荷 (通常 6.3nC)
  • 低Crss (通常 18pF)
  • 100%電子なだれテスト済み

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQT5P10TF

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Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

318H-01

1

260

REEL

4000

No

P-Channel

PowerTrench® T1

SC-4

Small Signal

Standard

0

Single

0

-100

1050

±30

-4

-1

2

-

-

-

6.3

190

3

270

70

18

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FQT5P10TF

Equivalent to wafer fab process: 3D

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3D

10

2342695283

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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