Small Signal MOSFETs | HUF75344G3

N チャネル UltraFET Power MOSFET 55V、75A、8mΩ

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Overview

これらの N チャネル Power MOSFET は、革新的な UltraFET プロセスを使用して製造されています。この高度なプロセス技術により、各シリコン面積の最大限の低オン抵抗を実現し、卓越した性能を提供します。このデバイスは、アバランシェモードで高エネルギーに対応でき、ダイオードは短時間での逆回復と蓄積電荷を果たします。ポータブルおよびバッテリ駆動製品のスイッチング・レギュレータ、スイッチング・コンバータ、モータ・ドライバ、リレー・ドライバ、低電圧バススイッチ、電源管理など、電力効率が重要なアプリケーションでの使用を目的として設計しました。旧開発型 TA75344。

  • その他のオーディオ&ビデオ

  • 75A、55V
  • シミュレーションモデル
  • 温度補償PSPICE® とSABER™モデル
  • 熱インピーダンスPSPICEおよびSABERモデル
  • ピーク電流対パルス幅カーブ
  • UIS定格曲線
  • 関連文献
  • TB334、「表面実装部品をPC基板にはんだ付けする際のガイドライン」

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

HUF75344G3

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

340CK

NA

0

TUBE

450

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-247

Small Signal

Standard

0

Single

0

55

8

±20

4

75

285

-

-

-

90

3200

39

210

1170

310

$1.8758

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: HUF75344G3

Equivalent to wafer fab process: U2

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

U2

0

3282858009

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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