Small Signal MOSFETs | HUF76413DK_F085

60V、5.1A、41mΩ、SO-8、ロジックレベル・デュアル N チャネル PowerTrench®

Obsolete

Datasheet

製品

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Overview

これらの N チャネル・パワー MOSFET は、革新的な UltraFET® プロセスを使用して製造されています。この高度なプロセス技術により、各シリコン面積の最大限の低オン抵抗を実現し、卓越した性能を提供します。このデバイスは、アバランシェモードで高エネルギーに対応でき、ダイオードの逆回復時間は短く、蓄積電荷は低くなっています。ポータブルおよびバッテリ駆動製品のスイッチング・レギュレータ、スイッチング・コンバータ、モータ・ドライバ、リレー・ドライバ、低電圧バススイッチ、電源管理など、電力効率が重要なアプリケーションでの使用を目的として設計しました。

  • インフォテインメント
  • ポータブルナビゲーション
  • インフォテインメント
  • その他
  • パワートレイン
  • 安全と管理
  • 快適性と利便性
  • ボディエレクトロニクス
  • 車両安全システム
  • その他のオートモーティブ

  • 150°C最高接合部温度
  • UIS機能（単一パルスと反復パルス）
  • 極めて小さいオン抵抗rDS(ON) = 0.049Ω、VGS = 10V
  • 極めて小さいオン抵抗rDS(ON) = 0.056Ω、VGS = 5V
  • AEC Q101認定
  • RoHS に対応

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

HUFA76413DK8T-F085

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SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Single

0

60

49

±16

3

5.1

2.5

NA

-

10

18

NA

5

55

180

30

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: HUFA76413DK8T-F085

Equivalent to wafer fab process: U2

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

U2

0

3282858009

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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