Small Signal MOSFETs | IRL640A

パワー MOSFET、N チャネル、ロジックレベル、A-FET、200 V、18 A、180 mΩ、TO-220

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Overview

これら N チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自のプレーナ、DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。 これらのデバイスは、高効率スイッチング DC-DC コンバータ、スイッチモード電源、非割り込み電源用 DC-AC コンバータおよびモータ制御に最適です。

  • その他のオーディオ&ビデオ

  • 18 A, 200 V
    rDS(ON) = 180 mΩ @ VGS = 5 V
  • Low Gate Charge (Typ. 40 nC)
  • Low Crss (Typ. 95 pF)
  • Fast Switching Speed
  • 100% Avalanche Tested
  • Improved dv/dt Capability
  • ロジックレベルゲートドライブ

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Compliance

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

IRL640A

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IRL640APWD

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: IRL640A

Equivalent to wafer fab process: AC

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

AC

0

84016418

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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