Small Signal MOSFETs | NDP6060

N チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタ 60V、48A、25mΩ

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Overview

これらの N チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、当社独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高密度のプロセスは、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、自動車、DC / DC コンバーター、PWM モーター制御、および高速スイッチング、インライン電力損失低減、過渡抵抗が必要なその他のバッテリー駆動回路などの低電圧アプリケーションに特に適しています。

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  • 48A、60V RDS(ON) = 0.025Ω@ VGS=10V。
  • 昇温で規定される臨界DC電気パラメータ
  • 堅牢な内部ソース-ドレイン間ダイオードによって、外部のツェナーダイオード過渡サプレッサーが不要になります。
  • 最大175℃の接合部温度定格
  • 超低RDS(ON)用の高密度セル設計
  • スルーホールおよび表面実装用途のためのTO-220およびTO-263 (D2PAK) パッケージ

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

NDP6060

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

340AT

NA

0

TUBE

800

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

Small Signal

Standard

0

NA

0

60

25

±20

4

48

100

-

-

-

39

1190

22

-

475

150

$1.3705

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: NDP6060

Equivalent to wafer fab process: TO

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TO

0

955961600

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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