Small Signal MOSFETs | NDS351AN

Nチャネル Logic Level PowerTrench® MOSFET 30V、1.4A、160mΩ

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これらのNチャネル Logic Level MOSFETは、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成されたフェアチャイルド・セミコンダクターの高度なPowerTrenchプロセスを使用して製造されます。特に、これらのデバイスは、非常に小さな外形の表面実装パッケージで迅速なスイッチングおよびインライン電力損失の低減が必要なノートPC、携帯電話、PCMCIAカード、およびその他のバッテリー駆動回路の低電圧アプリケーションに適しています。

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  • 1.4A、30 V。
  • RDS(ON) = 160 mΩ @ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 250 mΩ @ VGS = 4.5 V
  • 超少量のゲート電荷
  • 優れた熱および電気能力のための独自のSuperSOTTM-3設計を使用した、業界標準アウトラインSOT-23表面実装パッケージ
  • 特に低いRDS(ON)用の高性能トレン

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

NDS351AN

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23-3

527AG

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

SOT-23-3

Small Signal

Logic

0

NA

0

30

160

20

3

1.4

0.5

-

250

2

1.3

145

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-

-

-

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: NDS351AN

Equivalent to wafer fab process: T3

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T3

0

705279432

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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