Small Signal MOSFETs | NDS351N

Nチャネル Logic Level 拡張モード電界効果トランジスタ 30V、1.1A、250mΩ

Obsolete

Datasheet

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Overview

これらのNチャネルLogic Level 拡張モード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。特に、これらのデバイスは、非常に小さな外形の表面実装パッケージで迅速なスイッチングおよびインライン電力損失の低減が必要なノートPC、携帯電話、PCMCIAカード、およびその他のバッテリー駆動回路の低電圧アプリケーションに適しています。

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  • 1.1A、30V。 RDS(ON) = 0.25Ω @ VGS= 4.5 V。
  • 優れた熱容量および電気容量のために銅リードフレームを使用した独自のパッケージ設計
  • 超低RDS(ON)用の高密度セル設計
  • 卓越したオン抵抗、および最大DC電流機能
  • コンパクトな業界標準 SOT-23表面実装型パッケージ

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

NDS351N

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: NDS351N

Equivalent to wafer fab process: TP

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TP

8

738717284

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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