Small Signal MOSFETs | NDS8425

シングル N チャネル 2.5 V 仕様 PowerTrench® MOSFET 20V、7.4A、22mΩ

Obsolete

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Overview

この N チャネル 2.5V 仕様 MOSFET は、優れたスイッチング性能のために低ゲート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された、当社の高度な PowerTrench プロセスを使用して製造されます。これらのデバイスは、非常に小さなフットプリントで、並外れて低い電力消費を実現するように設計されています。

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  • DC/DC Converters
  • Load Switch
  • 7.4 A、20 V
  • RDS(ON) = 0.022 Ω @ VGS= 4.5 V
  • RDS(ON) = 0.028 Ω @ VGS= 2.7V
  • 高速スイッチング速度
  • 少量のゲート電荷(通常11nC)
  • 超低rDS(ON) 用の高性能トレンチ技術
  • 広く使用されている表面実装パッケージに大電力と大電流の処理能力を収めている

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

NDS8425

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

No

N-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

NA

0

20

-

8

1.5

7.4

2.5

NA

28

-

11

NA

-

-

-

-

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: NDS8425

Equivalent to wafer fab process: TR

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TR

1

3586390609

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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