Small Signal MOSFETs | NDS8434

シングル P チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタ -20V、-6.5A、35mΩ

Obsolete

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Overview

これらの P チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、当社独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化しするように構成されており、優れたスイッチング性能を提供します。これらのデバイスは、ノート PC の電源管理、および高速スイッチング、インライン電力損失低減、過渡抵抗が必要なその他のバッテリ駆動回路などの低電圧アプリケーションに特に適しています。

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  • -6.5 A, -20 V
    rDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = -4.5 V
    rDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = -2.7 V
  • High Density Cell Design for Extremely Low rDS(ON)
  • High Power and Current Handling Capability in a Widely Used Surface Mount Package

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

NDS8434

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

N

P-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

NA

0

-20

-

-8

-1

-6.5

2.5

NA

50

-

40

NA

-

-

-

-

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: NDS8434

Equivalent to wafer fab process: TP

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TP

8

738717284

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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