Small Signal MOSFETs | NDS9945

デュアル N チャネル拡張モード電界効果トランジスタ 60V、3.5A、100mΩ

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Overview

SO-8 N チャネル拡張モード電界効果トランジスタは、当社独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、優れたスイッチング性能を提供し、特にオン抵抗を最小化するように構成されています。これらのデバイスは、ディスク駆動モータ制御、高速スイッチング、インライン電力損失低減、および過渡抵抗が必要なバッテリ駆動回路などの低電圧アプリケーションに特に適しています。

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  • 3.5 A、60 V。RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 10 V、RDS(ON) = 0.200 Ω @ VGS = 4.5 V。
  • 超低RDS(ON)用の高密度セル設計
  • 広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能
  • 表面実装パッケージのデュアルMOSFET。

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

NDS9945

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

NA

0

60

Q1: 100.0, Q2: 100.0

±20

3

3.5

49

-

Q1: 200.0, Q2: 200.0

-

12.9

345

3.2

-

110

25

$0.8122

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信頼性データ

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Device: NDS9945

Equivalent to wafer fab process: TO

製品技術

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等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TO

0

1274146324

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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