これらのデュアルN&Pチャネル拡張モード電界効果トランジスタは、フェアチャイルド独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。特に、この高密度のプロセスは、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、ノートPCの電源管理、および高速スイッチング、インライン電力損失低減、過渡抵抗が必要なその他のバッテリー駆動回路などの低電圧アプリケーションに特に適しています。
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Pb
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SOIC-8
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260
REEL
2500
No
Complementary
PowerTrench® T1
SOIC-8
Small Signal
Logic
0
NA
0
±30
N:80,P:130
20
±2.8
N: 3.7, P: -2.9
1.6
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