Nチャネル Logic Level 拡張モード電界効果トランジスタ 60V、4A、100mΩ

Overview

これらのLogic Level Nチャネル拡張モード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。特に、この高密度のプロセスは、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、DCモーター制御、および高速スイッチング、インライン電力損失低減、過渡抵抗が必要なDC/DC変換などの低電圧アプリケーションに特に適しています。

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  • 4 A、60V。RDS(ON)=0.100Ω@VGS=10V、RDS(ON)=0.120Ω@VGS=4.5V。
  • 直接ロジックドライバーからの操作を可能にする低ドライブ要件。 VGS(TH)<2V。
  • 超低RDS(ON)用の高密度セル設計
  • 広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

NDT3055L

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

1

260

REEL

4000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-4

Small Signal

Logic

0

NA

0

60

100

±20

2

4

3

-

120

-

13

345

3.2

-

110

30

$0.4248

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