Nチャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタ 30V、7.2A、35mΩ

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Overview

パワー SOT P チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、当社独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化しするように構成されており、優れたスイッチング性能を提供します。これらのデバイスは、DC モータ制御、および高速スイッチング、インライン電力損失低減、過渡抵抗が必要な DC/DC 変換などの低電圧アプリケーションに特に適しています。

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  • 7.2A、 30V。 RDS(ON) = 0.035Ω @ VGS = 10V、RDS(ON) = 0.05Ω @ VGS = 4.5V
  • 超低RDS(ON)用の高密度セル設計
  • 広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

NDT451AN

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

1

260

REEL

4000

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-4

Small Signal

Logic

0

NA

0

30

35

20

3

7.2

3

-

50

-

19

720

-

-

-

-

$0.4368

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