Pチャネル2.5V 仕様 PowerTrench® MOSFET -20V、4A、65mΩ

Obsolete

Overview

このPチャネル2.5V仕様MOSFETは、優れたスイッチング性能のために低デート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成されたフェアチャイルドの高度なPowerTrenchプロセスを使用して製造されます。これらのデバイスは、より大規模なパッケージが実用的でないアプリケーション向けに、非常に小さなフットプリントで並外れた消費電力を提供するように設計されています。

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  • -4 A、-20 V
  • RDS(ON) = 0.065Ω @ VGS = -4.5 V
  • RDS(ON) = 0.100Ω @ VGS = -2.5 V
  • 高速スイッチング速度。
  • 少量のゲート電荷(7.2nC通常)
  • 非常に小さなRDS(ON)を可能にする高性能なトレンチ技術
  • SuperSOT™ -6 パッケージ: 小さいフットプリント (標準SO-8よりも72% 小さい)、低プロファイル (厚さ 1mm)。

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

SI3443DV

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

N

P-Channel

PowerTrench® T1

TSOT-23-6

Small Signal

Logic

0

Single

0

-20

-

8

-1.5

-4

1.6

100

65

17

7.2

640

-

-

-

-

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