Small Signal MOSFETs | SI3443DV

Pチャネル2.5V 仕様 PowerTrench® MOSFET -20V、4A、65mΩ

Obsolete

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Overview

このPチャネル2.5V仕様MOSFETは、優れたスイッチング性能のために低デート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成されたフェアチャイルドの高度なPowerTrenchプロセスを使用して製造されます。これらのデバイスは、より大規模なパッケージが実用的でないアプリケーション向けに、非常に小さなフットプリントで並外れた消費電力を提供するように設計されています。

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  • -4 A、-20 V
  • RDS(ON) = 0.065Ω @ VGS = -4.5 V
  • RDS(ON) = 0.100Ω @ VGS = -2.5 V
  • 高速スイッチング速度。
  • 少量のゲート電荷(7.2nC通常)
  • 非常に小さなRDS(ON)を可能にする高性能なトレンチ技術
  • SuperSOT™ -6 パッケージ: 小さいフットプリント (標準SO-8よりも72% 小さい)、低プロファイル （厚さ 1mm）。

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

SI3443DV

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

419BL

1

260

REEL

3000

N

P-Channel

PowerTrench® T1

TSOT-23-6

Small Signal

Logic

0

Single

0

-20

-

8

-1.5

-4

1.6

100

65

17

7.2

640

-

-

-

-

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: SI3443DV

Equivalent to wafer fab process: TR

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TR

1

1603286882

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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