シングルPチャネル ロジックレベル PowerTrench® MOSFET

Obsolete

Overview

このPチャンネルMOSFETは、フェアチャイルドの高度なPowerTrenchプロセスを使用して製造されます。 バッテリーパワーマネージメント用途に最適化されています。

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  • -4 A、-30 V。
  • RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = -10 V
  • RDS(ON) = 75 mΩ @ VGS = -4.5 V少量のゲート電荷
  • 特に低いRDS(ON)用の高性能トレン
  • High performance trench technology for extremelylow RDS(ON)

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

SI3457DV

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

N

P-Channel

PowerTrench® T1

TSOT-23-6

Small Signal

Logic

0

Single

0

-30

50

25

-3

-4

1.6

NA

-

-

6

NA

-

-

-

-

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