Small Signal MOSFETs | SI4532DY

デュアルN&Pチャネル拡張モード電界効果トランジスタ

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これらのデュアルNチャネルおよびPチャネル拡張モードPower 電界効果トランジスタは、フェアチャイルド独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化しするように構成されており、優れたスイッチング性能を提供します。これらのデバイスは、ノートPCの電源管理、および高速スイッチング、インライン電力損失低減、過渡抵抗が必要なその他のバッテリー駆動回路などの低電圧アプリケーションに特に適しています。

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  • Pチャンネル-3.5 A、-30V
  • Nチャンネル3.9 A、30V
  • 広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能
  • 超低RDS(ON)
    用の高密度セル設計
  • 表面実装パッケージのデュアル(N&Pチャンネル) MOSFET

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CAD Models

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

SI4532DY

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

No

Complementary

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Dual

0

±30

N:65,P:85

-20

±3

-3.5

2

-

N:95,P:190

-

5

N: 235, P: 420

-

-

-

-

$0.3899

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: SI4532DY

Equivalent to wafer fab process: TQ,TR

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TQ,TR

0

255418811

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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