Name: Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A
Brand: Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A
SKU: NXH160T120L2Q2F2S1

パワー・インテグレーテッド・モジュール (PIM)、IGBT 1200 V、160 A および 650 V、100 A

Active

Overview

NXH160T120L2Q2F2SG は、分岐 T タイプ中性点 3 レベル・インバータを含むパワー・インテグレーテッド・モジュール (PIM) で、逆ダイオードを搭載した 160A/1200V ハーフブリッジ IGBT 2 つ、中性点 120A/1200V レクティファイヤ 2 つ、逆ダイオードを搭載した 60A/650V 中性点 IGBT 2 つ、ハーフブリッジ 100A/650V レクティファイヤ、および負温度係数 (NTC) サーミスタで構成されています。

DC-AC Stage

Solar Inverter
UPS

650 V IGBT specifications: VCE(SAT) = 1.47 V, ESW = 2560 uJ
1200 V IGBT Specifications: VCE(SAT) = 2.15 V, ESW = 4300 uJ
Baseplate
Solderable Pins
T−type Neutral Point Clamped Three−level Inverter Module
Thermistor

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MSL Type

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Configuration

V_BR Max (V)

Rated Current (A)

V_CE(sat) Typ (V)

V_F Typ (V)

Application

Reference Price

NXH160T120L2Q2F2S1G

Active

180AK

BTRAY

Split T-Type Inverter

1200

160

2.1

2.2

Industrial

$107.1305

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製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TRENCH IGBT

8782900981

IGBT Modules | NXH160T120L2Q2F2S1

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