Protected MOSFETs | MLD1N06CL

シングル N チャネル Power MOSFET、電圧クランプ付き

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MLD1N06CL は、マイクロコントロール・ユニット (MCU) に直接インタフェースできる短絡保護付きの堅牢なパワー・スイッチング・デバイスを必要とするアプリケーション向けに設計されています。理想的なアプリケーションには、車載燃料噴射器ドライバ、白熱ドライバ、または高突入電流や負荷の短絡状態が発生する可能性のあるその他のアプリケーションが含まれます。このロジックレベルの Power MOSFET は、短絡保護のための電流制限、ESD 保護のための統合されたゲートソース・クランピング、過電圧保護のための統合されたゲートドレイン・クランピング、 および低オン抵抗のためのテクノロジを特徴としています。MCU の出力にインタフェースする場合、ゲート直列抵抗を追加する必要はありませんが、フローティングゲート状態を回避するために 40kΩ のゲートプルダウン抵抗を推奨します。内部ゲートソースおよびゲートドレイン・クランプにより、外部過渡抑制コンポーネントを使用せずにデバイスを適用できます。ゲート・ソース・クランプは、最大 2.0 kV の静電電圧ストレスから MOSFET 入力を保護します。ゲートドレイン・クランプは、誘導性負荷で発生するアバランシェ・ストレスから MOSFET ドレインを保護します。独自の設計により、動作温度に本質的に依存しない電圧クランピングが提供されます。

  • Fuel Injector Driver
  • Incandescent Lamp Driver

  • Automobiles

  • Current Limiting for short circuit protection.
  • Integrated Gate-Source clamping for ESD Protection.

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MLD1N06CLT4

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DPAK-3

369C

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235

REEL

2500

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N-Channel

60

-

750

40

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MLD1N06CLT4G

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