Silicon Carbide (SiC) Diodes | FFSB2065B-F085

車載用シリコン・カーバイド (SiC) ショットキー・ダイオード、650 V

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Overview

シリコン・カーバイド (SiC) ショットキー・ダイオードは、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現する新しい技術を採用しています。逆回復電流がなく、温度から独立したスイッチング特性で、優れた熱性能のシリコン・カーバイドは、次世代のパワー・セミコンダクターとなります。システムの利点として、最高の効率、高速動作周波数、電力密度の増加、EMI の削減、システムのサイズの縮小とコストの削減があります。

  • Automotive HEV-EV Onboard Chargers
  • Automotive HEV-EV DC-DC Converters

  • PHEV-EV Onboard charger and DC -DC

  • Max Junction Temperature 175 oC
  • Avalanche Rated 94 mJ
  • High Surge Current Capacity
  • Positive Temperature Coefficient
  • Ease of Paralleling
  • No Reverse Recovery / No Forward Recovery
  • AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

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Pb

A

H

P

D2PAK2 (TO-263-2L)

418BK

1

260

REEL

800

Y

D2

Single

650

20

1.7

88

160

$2.8828

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Device: FFSB2065B-F085

Equivalent to wafer fab process: SIC

製品技術

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等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

SIC

0

3855921070

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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