FFSH30120A: SiC ダイオード、1200V、30A、TO-247-2

Datasheet: Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 40 A
Rev. 2 (196kB)
製品概要
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製品変更通知
シリコン・カーバイド (SiC) ショットキー・ダイオードは、 シリコンよりも優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現する新しい技術を採用しています。逆回復電流がなく、温度から独立したスイッチング特性で、 優れた熱性能のシリコン・カーバイドは、次世代のパワー・セミコンダクターとなります。システムの利点には、最高の効率、高速動作周波数、電力密度の増加、EMI の削減、システムのサイズとコストの縮小が含まれます。
特長
 
  • Max Junction Temperature 175 °C
  • Positive Temperature Coefficient
  • Ease of Paralleling
  • No Reverse Recovery / No Forward Recovery
アプリケーション
  • PFC
  • Industrial Power
  • Solar
  • EV Charger
  • UPS
  • Welding
Availability & Samples
Specifications
Interactive Block Diagram
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FFSH30120A Active
Pb-free
Halide free
FFSH30120A TO-247-2 340CL NA Tube 450 $10.2744
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Family
Configuration
VRRM (V)
IF(ave) (A)
VF (Max)
IFSM (A)
IR (Max) (µA)
Package Type
FFSH30120A  
 $10.2744 
Pb
H
 Active   
D1
Single
1200
30
1.75
230
200
TO-247-2
Case Outline
340CL   
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