Silicon Carbide (SiC) Diodes | FFSP15120A

シリコンカーバイドショットキーダイオード

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Overview

SiCショットキーダイオードは、シリコンカーバイドという新しい半導体材料を使用しているため、スイッチング損失がなく、Siダイオードより優れたシステム効率を実現します。動作周波数や電力密度を向上させ、システムのサイズやコストを削減できます。 信頼性が高いため、サージ時や過電圧状態でも安定した動作を保証

  • Industrial

  • UPS / ESS
  • Solar
  • EV Charger

  • 最大接合部温度175°C
  • 電子なだれ定格145 mJ
  • 高サージ電流耐性
  • プラスの温度係数
  • 並列化が容易

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FFSP15120A

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Pb

A

H

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TO-220-2

340BB

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TUBE

800

Y

D1

Single

1200

15

1.75

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200

$2.8714

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FFSP15120A

Equivalent to wafer fab process: SIC

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

SIC

0

3855921070

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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