SiC ダイオード - 650V、30A、TO-220-2

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Overview

シリコン・カーバイド (SiC) ショットキー・ダイオードは、 シリコンよりも優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現する新しい技術を採用しています。逆回復電流がなく、温度から独立したスイッチング特性で、 優れた熱性能のシリコン・カーバイドは、次世代のパワー・セミコンダクターとなります。システムの利点には、最高の効率、高速動作周波数、電力密度の増加、EMI の削減、システムのサイズとコストの縮小が含まれます。

  • PFC
  • Industrial Power
  • Solar
  • EV Charger
  • UPS
  • Welding
  • 最大接合部温度175°C
  • 電子なだれ定格180 mJ
  • 高サージ電流耐性
  • プラスの温度係数
  • 逆回復/順回復なし

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TO-220-2

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650

30

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150

200

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