FFSP3065A: SiC ダイオード - 650V、30A、TO-220-2

Datasheet: Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 30 A
Rev. 3 (397kB)
製品概要
信頼性データを表示する
材料組成を表示
製品変更通知
シリコン・カーバイド (SiC) ショットキー・ダイオードは、 シリコンよりも優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現する新しい技術を採用しています。逆回復電流がなく、温度から独立したスイッチング特性で、 優れた熱性能のシリコン・カーバイドは、次世代のパワー・セミコンダクターとなります。システムの利点には、最高の効率、高速動作周波数、電力密度の増加、EMI の削減、システムのサイズとコストの縮小が含まれます。
特長
 
  • 最大接合部温度175°C
  • 電子なだれ定格180 mJ
  • 高サージ電流耐性
  • プラスの温度係数
  • 逆回復/順回復なし
アプリケーション
  • PFC
  • Industrial Power
  • Solar
  • EV Charger
  • UPS
  • Welding
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
SEC-6D6KW-OBC-SIC-GEVB Active
Pb-free
6.6kW OBC SiC model
Availability & Samples
Specifications
Interactive Block Diagram
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FFSP3065A Active
Pb-free
Halide free
FFSP3065A TO-220-2 340BB NA Tube 800 $6.1188
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Device Grade
Configuration
VRRM (V)
IF(ave) (A)
VF (Max)
IFSM (A)
IR (Max) (µA)
Package Type
FFSP3065A  
 $6.1188 
Pb
H
 Active   
Commercial
Single
650
30
1.75
150
200
TO-220-2
Case Outline
340BB   
過去に閲覧した製品
一覧をクリアする

Your request has been submitted for approval.
Please allow 2-5 business days for a response.
You will receive an email when your request is approved.
Request for this document already exists and is waiting for approval.