SiC ダイオード - 650V、10A、TO-220FP-2

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炭化ケイ素 (SiC) ショットキー・ダイオードは、 シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現する新しい技術を採用しています。逆回復電流がなく、温度から独立したスイッチング特性で、 優れた熱性能の炭化ケイ素は、次世代のパワー・セミコンダクターとなります。システムの利点として、最高の効率、高速動作周波数、電力密度の増加、EMI の削減、システムのサイズの縮小とコストの削減があります。Llew

  • PFC
  • Industrial Power
  • Solar
  • EV Charger
  • UPS
  • Welding
  • Max Junction Temperature 175 °C
  • High Surge Current Capacity
  • Positive Temperature Coefficient
  • No Reverse Recovery / No Forward Recovery

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650

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-

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