シリコンカーバイド (SiC) ダイオード | PCFFS10120AF

シリコンカーバイドショットキーダイオード

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SiCショットキーダイオードは、シリコンカーバイドという新しい半導体材料を使用しているため、スイッチング損失がなく、Siダイオードより優れたシステム効率を実現します。動作周波数や電力密度を向上させ、システムのサイズやコストを削減できます。 信頼性が高いため、サージ時や過電圧状態でも安定した動作を保証

  • PFC
  • UPS
  • Industrial Power
  • Solar Inverters
  • EV Charging Stations
  • 最大接合部温度175°C
  • 電子なだれ定格105 mJ
  • 高サージ電流耐性
  • プラスの温度係数
  • 並列化が容易
  • 逆回復/順回復なし

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: PCFFS10120AF

Equivalent to wafer fab process: SIC

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

SIC

0

32191536553

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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