Specific Function Optocouplers | H11F3M

6 ピン DIP バイラテラル・アナログ FET 出力オプトカプラ

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Datasheet

製品

Overview

H11FXM シリーズは、ヒ化アルミニウムガリウム IRED 放射ダイオードとシンメトリカル・バイラテラル・シリコン・フォトディテクタとが結合されたものです。ディテクタは入力から電気的に絶縁され、理想的な絶縁型FETのように動作します。低レベルAC/DCアナログ信号の無歪制御用に設計されています。H11FXMシリーズはデュアル・インライン・パッケージにマウントされます。

  • 家電製品
  • 産業用モーター

  • リモート可変抵抗:
  • ≤ 100Ω ～ ≥ 300MΩ
  • ≤ 15pF シャント容量
  • ≥ 100GΩ I/O 絶縁抵抗アナログスイッチ:
  • 非常に低いオフセット電圧
  • 60 Vpk-pk信号能力
  • 電荷注入またはラッチアップなし
  • UL認定 (ファイル#E90700)

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信頼性

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製品

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

VCC (Max) (V)

VCC (Min) (V)

VOL (Max) (V)

ICCL (Max) (mA)

II (ON) RMS (Min) (mA)

II (OFF) RMS (Max) (mA)

ITH+ (Max) (mA)

ITH- (Max) (mA)

Breakdown Voltage (Min) (V)

Off State Dark Current (Max) (nA)

RON (Max) (Ω)

tPHL, ton (Max) (µs)

tPLH, toff (Max) (µs)

VISO (Min) (V)

TOPR (Min) (°C)

TOPR (Max) (°C)

Reference Price

H11F3M

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CAD Model

Pb

A

H

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PDIP-6

646BX

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More Details

H11F3SM

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More Details

H11F3SR2M

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H11F3SR2VM

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H11F3SVM

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H11F3VM

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: H11F3M

Equivalent to wafer fab process: BN,GA

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

BN,GA

0

252701301

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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