IGBT/MOSFET Gate Drivers Optocouplers | FOD3182

出力電流3A、高速MOSFETゲート・ドライブ・オプトカプラ

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製品

Overview

FOD3182は、出力電流3Aの高速MOSFETゲート・ドライブ・オプトカプラです。ヒ化アルミニウムガリウム（AlGaAs）発光ダイオード（LED）が、電力段用PMOS/NMOS出力電力トランジスタ集積回路搭載CMOS検出器に光学結合されています。プラズマ・ディスプレイ・パネル（PDP）、モータ制御インバータ・アプリケーション、高性能DC-DCコンバータに使用されるパワーMOSFETの高周波駆動に最適です。このデバイスは8ピン・デュアル・インライン・ハウジング・パッケージで、鉛フリーはんだ準拠の260°Cリフロー・プロセスとの互換性があります。

  • AC-DC商用パワーサプライ
  • 発電と配電
  • 産業用モーター
  • 無停電電源装置

  • 50kV/µs (通常)のコモンモード除去を特長とする高いノイズ耐性
  • 保証動作温度範囲 -40℃～100℃
  • 3Aの最小ピーク出力電流
  • 高速スイッチング速度
  • 最大伝搬遅延時間 210ns
  • 最大パルス幅歪み 65ns
  • 高速出力立ち上がり/立ち下がり
  • 低いダイナミックワット損を提供
  • 250kHZの最大スイッチング速度
  • 10V ～ 30Vの幅広いVcc動作範囲
  • PチャンネルMOSFETを出力ステージに使用することで、出力電圧スイングが電源レールに近づくことを可能にします
  • 5,000Vrms、1分間の絶縁
  • ヒステリシスのある低電圧誤動作防止回路(UVLO) - MOSFET駆動に最適
  • 最小沿面距離 8.0mm
  • 最小絶縁厚さ 0.5mm
  • 最小空間距離は10.0mm～16mm (オプションのTVまたはTSV)
  • ピーク動作絶縁電圧1,414 (VIORM)
  • ULおよびVDE ('V'発注オプションが必要)認可

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IFLH (Max) (mA)

IDDL, IDDH (Max) (mA)

IOL, IOH (Min) (A)

tPHL, tPLH (Max) (ns)

PWD (Max) (ns)

VUVLO (Typ) (V)

VUVLO- (Typ) (V)

CMR (Min) (kV/µs)

VISO (Min) (V)

TOPR (Min) (°C)

TOPR (Max) (°C)

Reference Price

FOD3182

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CAD Model

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A

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PDIP-8

646CQ

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4

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8.3

7.7

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$1.044

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FOD3182S

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FOD3182SD

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FOD3182SDV

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FOD3182SV

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FOD3182TSR2V

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FOD3182TSV

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FOD3182TV

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FOD3182V

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Device: FOD3182

Equivalent to wafer fab process: BB,GA

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

BB,GA

0

58865369

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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