NCD57001: 絶縁高電流高効率 IGBT ゲート・ドライバ (ガルバニック絶縁内蔵)

Datasheet: Isolated High Current IGBT Gate Driver
Rev. 3 (464kB)
製品概要
材料組成を表示
製品変更通知
NCD57001 は、ガルバニック絶縁内蔵の高電流シングル・チャネル IGBT ドライバであり、ハイパワー・アプリケーションの高システム効率と信頼性のために設計されています。相補入力、FAULT/Ready オープンドレイン出力、アクティブ・ミラー・クランプ、正確な UVLO、DESAT 保護、DESAT のソフトターン・オフといった機能があります。NCD57001 は、入力側では 5V と 3.3V の両方の信号、ドライバ側では負電圧を含む広いバイアス電圧範囲に対応します。NCD57001 は、5 kVrms 超 (UL1577 定格) のガルバニック絶縁と 1200 Viorm 超 (使用電圧) という能力を実現します。NCD57001 は、幅広 SOIC-16 パッケージで提供されます。入出力間の沿面距離 8 mm を保証、強化安全絶縁要件を満たしています。
特長   利点
     
  • High Current Output(+4/-6 A) at IGBT Miller Plateau Voltages
 
  • Improves system efficiency
  • Short Propagation Delays with Accurate Matching
 
  • Improves PWM signal integrity
  • DESAT with Soft Turn Off
 
  • Protection against overload and short circuits
  • Active Miller Clamp and Negative Gate Voltage
 
  • Prevents spurious gate turn-on
  • High Transient & Electromagnetic Immunity
 
  • Ruggedness in fast slew rate high voltage and high current switching applications
  • 5 kV Galvanic Isolation
 
  • Galvanic isolation to separate high voltage and low voltage sides to provide safety and protection
アプリケーション   最終製品
  • Solar Inverters
  • Motor Control
  • UPS
  • Industrial Power Supplies
  • Welding
 
  • Industrial Motor Drives
  • Commercial HVAC
  • Data Center & Server Power Supplies
Availability & Samples
Specifications
Interactive Block Diagram
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
NCD57001DWR2G Active
Pb-free
Halide free
NCD57001 SOIC-16W 751G-03 1 260 Tape and Reel 1000 $2.0
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Avnet   (2020-08-19 00:00) : >1K
FutureElectronics   (2020-08-19 00:00) : <100

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Power Switch
Number of Outputs
Topology
Isolation Type
Vin Max (V)
VCC Max (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Drive Source Current Typ (A)
Drive Sink Current Typ (A)
Turn On Prop. Delay Typ (ns)
Turn Off Prop. Delay Typ (ns)
Delay Matching
Package Type
NCD57001DWR2G  
 $2.0 
Pb
H
 Active   
IGBT
SiC MOSFET
1
Single
Galvanic Isolation
5.5
24
10
15
SOIC-16W
Case Outline
751G-03   
過去に閲覧した製品
一覧をクリアする

特集ビデオ
Energy Infrastructure | Solutions for Solar Inverters
Your request has been submitted for approval.
Please allow 2-5 business days for a response.
You will receive an email when your request is approved.
Request for this document already exists and is waiting for approval.