高性能、4.3 A ハイ/ロー・サイド ドライバ

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NCP5183 は、 高電圧 高電流パワー MOSFET ドライバで、 2 つ N チャネル・ パワー MOSFET を直接 駆動 する出力 が 2 つあり 、 ハーフブリッジ (または それ以外の ハイ・サイド +ロー・サイド構成) になっています 。 ブート ストラップ 技術を 利用し、 ハイ・ サイド 電源 スイッチの適 正な 駆動を 保証します。このドライバは 2 つの独立した入力と連係して動作し、 あらゆる トポロジ (ハーフブリッジ、 非対称ハーフブリッジ、 アクティブ・クランプ、 フルブリッジなど) に対応します。

  • High Voltage Synchronous-Buck Converters
  • Half-Bridge and Full-Bridge Converters
  • Electric Power Steering & Motor Control
  • Power Supplies for Telecom and Datacom
  • Push-Pull Converters
  • Automotive power conversion
  • Output Source / Sink Current Capability 4.3 A / 4.3 A
  • Extended Allowable Negative Bridge Pin Voltage Swing to – 10 V
  • Voltage Range up to 600 V with dV/dt Immunity ±50 V/ns
  • Gate Drive Supply Range from 9 V to 18 V
  • Automotive Qualified to AEC Q100

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Power Switch

Number of Outputs

Topology

Isolation Type

Vin Max (V)

VCC Max (V)

Rise Time (ns)

Fall Time (ns)

Drive Source Current Typ (A)

Drive Sink Current Typ (A)

Turn On Prop. Delay Typ (ns)

Turn Off Prop. Delay Typ (ns)

Delay Matching

Reference Price

NCP5183DR2G

Loading...

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

Y

MOSFET / IGBT

2

High-Low

Junction Isolation

600

18

12

12

4.3

4.3

120

120

50

$1.2016

More Details

NCV5183DR2G

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

Y

MOSFET / IGBT

2

High-Low

Junction Isolation

600

18

12

12

4.3

4.3

120

120

50

$1.012

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