ハイ・サイド/ロー・サイド・ゲートドライバ、高周波、180 V、電流能力 4A

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NCP81075 は高性能デュアル MOSFET (ハイ・サイド/ロー・サイド) ゲートドライブ IC で、高電圧、高速、最大 180 V で動作する MOSFET の駆動用に設計されています。NCP81075 はドライバ IC とブートストラップ・ダイオードを統合していて、最大 4Aの 駆動能力を備えています。 このハイサイド・ドライバとローサイド・ドライバは、通常、整合伝播遅延 3.5ns で個別に制御されます。 このドライバは、高電圧バック・アプリケーション、絶縁電源、 2 スイッチ、アクティブ・クランプ・フォワード・コンバータでの仕様に最適です。また、ソーラー・オプティマイザやソーラー・インバータなどのアプリケーションでも使用できます。 この部品は、SO8、8 ピン DFN、10 ピン DFN パッケージで提供され、-40C ~ 140C の温度範囲全体で仕様が規定されています。

  • Buck converter
  • isolated power supplies
  • Class D audio amplifier
  • Two switch and Active Clamp Forward Converters
  • Solar optimizer
  • Drives two N-Channel MOSFETs in High & Low Side
  • Integrated Bootstrap Diode for High Side Gate Drive
  • Bootstrap Supply Voltage Range up to 180V
  • 4A Source, 4A Sink Output Current Capability
  • Drives 1nF Load with Typical Rise/Fall Times of 8ns/7 ns
  • Wide Supply Voltage Range 8.5V to 20V
  • Fast Propagation Delay Times (Typ. 20 ns)
  • 2 ns Delay Matching (Typical)
  • Operating Junction Temperature Range of -40°C to 140°C
  • Under-Voltage Lockout (UVLO) Protection for Drive Voltage

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Power Switch

Number of Outputs

Topology

Isolation Type

Vin Max (V)

VCC Max (V)

Rise Time (ns)

Fall Time (ns)

Drive Source Current Typ (A)

Drive Sink Current Typ (A)

Turn On Prop. Delay Typ (ns)

Turn Off Prop. Delay Typ (ns)

Delay Matching

Pricing ($/Unit)

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NCP81075MNTXG

Active

Pb

A

H

P

DFN-8

1

260

REEL

4000

Y

MOSFET

2

High-Low

Junction Isolation

180

20

8

7

4

4

20

20

3.5

$1.5223

More Details

NCP81075MTTXG

Active

Pb

A

H

P

WDFN-10

1

260

REEL

4000

Y

MOSFET

2

High-Low

Junction Isolation

180

20

8

7

4

4

20

20

3.5

$0.9775

More Details

NCP81075DR2G

Active

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

Y

MOSFET

2

High-Low

Junction Isolation

180

20

8

7

4

4

20

20

3.5

$0.897

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