ハイ・サイド/ロー・サイド・ゲートドライバ、高周波、180 V、電流源 0.5A/電流能力 0.8A

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Overview

NCP81080 は高性能デュアル MOSFET (ハイ・サイド/ロー・サイド) ゲートドライブ IC で、最大 180 V で動作する MOSFET の駆動用に設計されています。NCP81080 はドライバ IC とブートストラップ・ダイオードを統合していて、0.5A の電流電源/0.8A のシンク駆動能力を備えています。アンチクロス伝導回路が統合されていてシュート・スルーを防止します。 このハイサイド・ドライバとローサイド・ドライバは個別に制御されます。 このドライバは高電圧降圧およびモータ制御アプリケーションでの使用に最適です。 この部品は、SO8、8 ピン DFN、2 mm x 2 mm DFN パッケージで提供され、-40C ~ 140C の温度範囲全体で仕様が規定されています。

  • Buck converter
  • isolated power supplies
  • Class D audio amplifier
  • Two switch and Active Clamp Forward Converters
  • Motors
  • Drives two N-Channel MOSFETs in High & Low Side
  • Integrated Bootstrap Diode for High Side Gate Drive
  • Bootstrap Supply Voltage Range up to 180V
  • 0.5A Source, 0.8A Sink Output Current Capability
  • Drives 1nF Load with Typical Rise/Fall Times of 19ns/17 ns
  • Wide Supply Voltage Range 5.5V to 20V
  • 2 ns Delay Matching (Typical)
  • Under-Voltage Lockout (UVLO) Protection for Drive Voltage
  • Operating Junction Temperature Range of -40°C to 140°C

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Power Switch

Number of Outputs

Topology

Isolation Type

Vin Max (V)

VCC Max (V)

Rise Time (ns)

Fall Time (ns)

Drive Source Current Typ (A)

Drive Sink Current Typ (A)

Turn On Prop. Delay Typ (ns)

Turn Off Prop. Delay Typ (ns)

Delay Matching

Pricing ($/Unit)

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NCP81080MNTBG

Active

Pb

A

H

P

DFN-8

1

260

REEL

3000

Y

MOSFET

2

High-Low

Junction Isolation

180

20

19

17

0.5

0.8

44

30

10

$0.506

More Details

NCP81080DR2G

Active

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

Y

MOSFET

2

High-Low

Junction Isolation

180

20

19

17

0.5

0.8

44

30

10

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