100V高周波、ハイ・サイド/ロー・サイド・ゲート・ドライバ

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Overview

NCV51511はハイ・サイド/ロー・サイド・ゲート・ドライバICで、高電圧、高速、最大80 Vで動作するMOSFETの駆動に向けて設計されています。NCV51511はドライバICとブートストラップ・ダイオードを統合したものです。低遅延時間とPWM入力伝播遅延一致により、さらに性能が強化されています。 ハーフブリッジ/同期降圧構成でNチャネルMOSFETのハイ・サイドとロー・サイドの両方を駆動する設計の高速デュアル・ゲート・ドライバです。最大80 Vの電源電圧で動作できるフローティング・ハイ・サイド・ドライバ です。ハイ・サイドとロー・サイドとでそれぞれ入力が独立しているため、アプリケーションの入力制御信号の柔軟性を最大化できます。PWM入力信号(高レベル)は3.3 V、5 V、最大でVDDロジック入力になり、可能な限りすべてのアプリケーションをカバーします。

  • Half-Bridge and Full-Bridge Converters
  • Synchronous-Buck Converters
  • Two-Switch Forward Converters

  • 48V Automotive Converters

  • Integrated Bootstrap Diode for High Side Gate Drive
  • Bootstrap Supply Voltage Range up to 100V
  • 3 A Source, 6 A Sink Output Current Capability
  • Drives 1nF Load with Typical Rise/Fall Times of 6 ns/4 ns
  • 2 ns Delay Matching (Typical)
  • AEC Qual up to 150°C Tj
  • HS robustness against negative transients

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Power Switch

Number of Outputs

Topology

Isolation Type

Vin Max (V)

VCC Max (V)

Rise Time (ns)

Fall Time (ns)

Drive Source Current Typ (A)

Drive Sink Current Typ (A)

Turn On Prop. Delay Typ (ns)

Turn Off Prop. Delay Typ (ns)

Delay Matching

Reference Price

NCV51511PDR2G

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8 EP

2

260

REEL

2500

Y

MOSFET

2

High-Low

Junction Isolation

100

18

6

4

3

6

30

28

10

$1.3483

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