FDMF3030 - 超小型、高性能、高周波 DrMOS モジュール

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Overview

DrMOS ファミリは、当社の次世代、完全に最適化された超小型の次世代統合 MOSFET にドライブ・パワー・ステージ・ソリューションを加えたもので、高電流、高周波同期降圧、DC-DC アプリケーションに対応します。FDMF3030 は、ドライバ IC、2 つのパワー MOSFET およびブートストラップ・ショットキー・ダイオードを統合し、熱強化された超小型 6 mm x 6 mm パッケージにしたものです。統合アプローチにより完成されたスイッチング・パワー・ステージは、ドライバや MOSFET ダイナミック性能、システム・インダクタンス、パワー MOSFET RDS (ON) に関して最適化されています。FDMF3030 は、当社の高性能 PowerTrench® MOSFET 技術を使用してスイッチ・リンギングを大幅に軽減し、ほとんどの降圧コンバータ・アプリケーションでスナバ回路を不要にします。デッドタイムが軽減されたドライバ IC や伝播遅延がこのパフォーマンスをさらに強化します。サーマル警告機能では、過熱の可能性がある状況について示します。FDMF3030 には、軽負荷時の効率を改善するためのゼロクロス検出 (ZCD_EN# ピン) も組み込まれており、PWM コントローラとの広範囲にわたる互換性のための 3 ステート 5 V PWM 入力もあります。

  • 93%以上のピーク効率
  • 高電流処理: 50A
  • 高性能PQFN銅クリップパッケージ
  • 3ステート5V PWM入力ドライバー
  • ZCD_EN#入力を通じて、自動ダイオードエミュレーション(スキップモード)が可能
  • 過温度状態のための熱警告フラグ
  • ドライバー出力ディセーブル機能 (DISB#ピン)
  • それぞれZCD_EN # とDISB # の入力のための、内部プルアップおよびプルダウン
  • きれいな波形および低いリンギングのためのフェアチャイルド PowerTrench® 技術MOSFET
  • ローサイドMOSFETのフェアチャイルド SyncFET™ T技術 (統合されたショットキーダイオード)
  • 統合されたブートストラップショットキーダイオード
  • シュートスルー保護のためのアダプティブゲートドライブタイミング
  • 低電圧誤動作防止回路 (UVLO)
  • 1MHzまでのスイッチング周波数に最適化
  • ロープロファイルSMDパッケージ
  • Intel® 4.0 DrMOS規格に準拠
  • フェアチャイルドグリーンパッケージおよびRoHS対応

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