Integrated Driver & MOSFET | FDMF3035

スマート・パワー・ステージ (SPS) モジュール

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SPS ファミリは、フェアチャイルドの次世代、完全に最適化された超小型の次世代内蔵 MOSFET にドライブ・パワー・ステージ・ソリューションを加えたもので、高電流、高周波同期降圧、DC-DC アプリケーションに対応します。FDMF3035 は、ドライバ IC をブートストラップ・ショットキー・ダイオードおよび 2 つのパワー MOSFET とともに、熱強化された超小型 5 mm x 5 mm パッケージに統合します。統合アプローチにより、SPS スイッチング・パワー・ステージは、ドライバや MOSFET ダイナミック性能、最小化されたシステム・インダクタンス、パワー MOSFET RDS(ON)に最適化されています。この SPS ファミリは、フェアチャイルドの高性能 PowerTrench® MOSFET テクノロジを使用してスイッチ・リンギングを軽減し、ほとんどの降圧コンバータ・アプリケーションでスナバ回路を不要にします。無駄時間が軽減されたドライバ IC や伝播遅延がこのパフォーマンスをさらに強化します。FDMF3035 では、強化された軽負荷効率のダイオード・エミュレーション (FCCM ピンを使用) をサポートします。また、広範囲にわたる PWM コントローラとの互換性のために 3 相 5 V PWM 入力も提供します。

  • IMVP-8のPS4 Modeをサポートしています。
  • インターシル IMVP-8 PWM コントローラーとの互換性
  • 超小型5 mm x 5 mm PQFN銅クリップパッケージ、フリップチップローサイドMOSFET
  • 高電流処理: 50 A
  • 3ステート5 V PWM入力ゲートドライバー
  • 低シャットダウン電流: IVCC < 3 uA
  • 強化された軽負荷効率のためのダイオードエミュレーション
  • きれいな波形および低いリンギングのためのフェアチャイルド PowerTrench® MOSFET
  • ローサイドMOSFETのフェアチャイルド SyncFET™ T技術 (統合されたショットキーダイオード)
  • 統合されたブートストラップショットキーダイオード
  • 最適化/非常に短いデッドタイム
  • VCCの低電圧誤動作防止回路 (UVLO)
  • 1.5 MHzまでのスイッチング周波数に最適化
  • 動作周辺温度範囲: "-40℃～+125℃
  • フェアチャイルドグリーンパッケージおよびRoHS対応

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信頼性データ

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Device: FDMF3035-F135

Equivalent to wafer fab process: DrMOS BCD + PT MCM

製品技術

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等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

DrMOS BCD + PT MCM

1

412052959

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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