Integrated Driver & MOSFET | FDMF6820B

超小型、高性能、高スイッチング周波数 DrMOSモジュール

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XS™ DrMOSファミリーは、フェアチャイルドの次世代の、完全に最適化された、超小型、一体型 MOSFETプラスドライバーです。また、高電流、高周波数、降圧同期整流DC/DC用途のための電源ステージソリューションです。 FDMF6820BはドライバーIC、2つのパワーMOSFET、ブートストラップ用ショットキーダイオードを、熱的に強化された超小型6x6mmパッケージに統合しています。
統合型アプローチの採用で、スイッチング電源ステージ全体が、ドライバーおよびMOSFETのダイナミック性能、システムインダクタンス、そしてパワーMOSFETのRDS(ON)に対し最適化されています。 XS™ DrMOSは、フェアチャイルドの高性能PowerTrench® MOSFET技術を使用しており、スイッチリンギングを劇的に減らし、ほとんどの降圧型コンバーターアプリケーションでスナバ回路の必要性を排除します。
デッドタイムが減少したドライバーICと伝搬遅延によって、さらにパフォーマンスが向上します。 熱警報機能は潜在的な過温度状態を警告します。 FDMF6820Bはまた、軽負荷効率の向上のため、スキップモード (SMOD#) を備えています。 また、FDMF6820Bは広い範囲のPWMコントローラーとの互換性のために、3ステートの3.3V PWM入力も提供します。

  • Core Power for Servers, Desktop Computers, Notebooks, Game Consoles, Networking, Storage, Telecom
  • High-Current dc-dc Converters
  • Multi-phase dc-dc Converters

  • 93%以上のピーク効率
  • 高電流処理: 50A
  • 高性能PQFN銅クリップパッケージ
  • 3ステート3.3V PWM入力ドライバー
  • スキップモードSMOD# (ローサイドゲートオフ) 入力
  • 過温度状態のための熱警告フラグ
  • ドライバー出力ディセーブル機能 (DISB#ピン)
  • SMOD#およびDISB#入力用の内部プルアップおよびプルダウン
  • きれいな波形および低いリンギングのためのフェアチャイルド PowerTrench® 技術MOSFET
  • ローサイドMOSFETのフェアチャイルドSyncFET™ (一体型ショットキーダイオード) 技術
  • 統合されたブートストラップショットキーダイオード
  • シュートスルー保護のためのアダプティブゲートドライブタイミング
  • 低電圧誤動作防止回路 (UVLO)
  • 1MHzまでのスイッチング周波数に最適化
  • ロープロファイルSMDパッケージ
  • Intel® 4.0 DrMOS規格に準拠
  • フェアチャイルドグリーンパッケージおよびRoHS対応

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fmax (MHz) Max

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FDMF6820B

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Device: FDMF6820B

Equivalent to wafer fab process: GK,RN,U4

製品技術

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等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

GK,RN,U4

0

108100566

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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