超小型、高性能、高周波 DrMOS モジュール

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XS™ DrMOS ファミリは、当社の次世代、完全に最適化された超小型の次世代統合 MOSFET にドライブ・パワー・ステージ・ソリューションを加えたもので、高電流、高周波同期降圧、DC-DC アプリケーションに対応します。FDMF6821B は、ドライバ IC、2 つのパワー MOSFET およびブートストラップ・ショットキー・ダイオードを統合し、熱強化された超小型 6 mm x 6 mm パッケージにしたものです。統合アプローチにより完成されたスイッチング・パワー・ステージは、ドライバや MOSFET ダイナミック性能、システム・インダクタンス、パワー MOSFET RDS (ON) に関して最適化されています。この XS™ DrMOS ファミリは、当社の高性能 PowerTrench® MOSFET 技術を使用してスイッチ・リンギングを大幅に軽減し、ほとんどの降圧コンバータ・アプリケーションでスナバ回路を不要にします。無駄時間が軽減されたドライバ IC や伝播遅延がこのパフォーマンスをさらに強化します。サーマル警告機能では、過熱の可能性がある状況について警告します。FDMF6821B はさらに、スキップ・モード (SMOD#) を内蔵することで軽負荷効率を向上させています。FDMF6821B はまた、広範囲にわたる PWM コントローラとの互換性のために 3 ステート 3.3 V PWM 入力も提供します。

  • Core Power for Servers, Desktop Computers, Notebooks, Game Consoles, Networking, Storage, Telecom
  • High-Current dc-dc Converters
  • Multi-phase dc-dc Converters
  • 93%以上のピーク効率
  • 高電流処理: 55 A
  • 高性能PQFN銅クリップパッケージ
  • 3ステート3.3 V PWM入力ドライバー
  • スキップモードSMOD# (ローサイドゲートターンオフ) 入力
  • 過温度状態のための熱警告フラグ
  • ドライバー出力ディセーブル機能 (DISB#ピン)
  • SMOD#およびDISB#入力用の内部プルアップおよびプルダウン
  • きれいな波形および低いリンギングのためのフェアチャイルド PowerTrench® 技術MOSFET
  • ローサイドMOSFETのフェアチャイルドSyncFET™ (一体型ショットキーダイオード) 技術
  • 一体型ブートストラップショットキーダイオード
  • シュートスルー保護のためのアダプティブゲートドライブタイミング
  • 低電圧誤動作防止回路 (UVLO)
  • 1 MHzまでのスイッチング周波数に最適化
  • フェアチャイルドグリーンパッケージおよびRoHS対応
  • 低プロファイルSMDパッケージ
  • Intel® 4.0 DrMOS規格に基づく

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VIN (V) Typ

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IO (A) Max

fmax (MHz) Max

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FDMF6821B

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Pb

A

H

P

PQFN-40

1

260

REEL

3000

N

5

12

3.3 V Tri-State

55

1

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