統合 P チャネル Power MOSFET がある過電圧保護 IC

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Overview

これらのデバイスは、NCP345 過電圧保護 (OVP) を 20 V P チャネル Power MOSFET (NUS2045MN) または 30 V P チャネル Power MOSFET (NUS3045MN) と組み合わせることにより、新しいレベルの安全性と統合性を実現します。 これらは、過電圧過渡および電源障害からセンシティブな電子回路を保護するために特別に設計されています。 このような危険なイベントの間、IC は入力電源を負荷から迅速に切断するため、損傷が発生する前に負荷を保護します。OVP IC は、外部 AC-DC アダプタまたはカー・アクセサリ充電器を使用して、ポータブル製品に電力を供給したり、内部バッテリを充電したりするアプリケーション向けに最適化されています。 これらの公称過電圧スレッショルドは 6.85 V であるため、シングルセル Li-Ion および 3/4セル NiCD/NiMH アプリケーションに最適です。

  • Portable Computers, PDAs, Cell Phones, Handheld Products, and Digital Cameras
  • Overvoltage Turn-Off Time of Less Than 1.0 µs
  • Accurate Voltage Threshold of 6.85 V, Nominal
  • Undervoltage Lockout Protection; 2.8 V, Nominal
  • Control Input Compatitable with 1.8 V Logic Levels
  • -20 V or -30 V Integrated P-Channel Power MOSFET
  • Low RDS(on)=71 mΩ @ -4.5 V for the NUS2045MN
  • Low RDS(on)=66 mΩ @ -4.5 V for the NUS3045MN
  • Low Profile 3.3 x 3.3 mm DFN Package Suitable for Portable Applications
  • Maximum Solder Reflow temperature @ 235°C for MNT1 suffix and 260°C for MNT1G suffix
  • This device is manufactured with a Pb-Free external lead finish only

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