Flash Memory | LE25U20AFD

シリアル・フラッシュ・メモリ、2 Mb (256K x 8)

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LE25U20AFD は、256K x 8 ビット構成のシリアル・インタフェース互換フラッシュメモリ・デバイスです。2.5 V 電源を 1 個使用します。LE25U20AFD は、シリアル・フラッシュメモリ・デバイスに固有の特長をほとんど持ちながら、8 ピンの超小型パッケージに収められています。このデバイスが、ますます小型化を要求されている携帯用情報端末などのアプリケーションへのプログラム・コードの格納に理想的なのは、これらの特徴によるものです。また、小分割セクタ消去機能を使用することにより、EEPROM の容量不足となる書き換え時間が比較的少ないパラメータまたは日付ストレージの使用にも適しています。

  • 携帯情報端末

  • 2.5 V単一電源によるリード/ライト動作が可能 :
    電源電圧範囲2.30～3.60 V
  • 動作周波数 : 30 MHz
  • 温度範囲 : -40 ～ 85°C
  • シリアルインタフェース : SPI Mode0、Mode3 対応
  • セクタサイズ : 4K バイト/小セクタ、64K バイト/セクタ
  • 小セクタイレーズ、セクタイレーズ、チップイレーズ機能
  • ページプログラム機能 : 256 バイト/ページ
  • ブロックプロテクト機能
  • ステータス機能 : レディー/ビジー情報、プロテクト情報
  • 高信頼性リード/ライト
    書換え回数 : 100,000 回
    小セクタイレーズ時間 : 40 ms (typ), 150 ms (max)
    セクタイレーズ時間 : 80 ms (typ), 250 ms (max)
    チップイレーズ時間 : 250 ms (typ), 1.6 s (max)
    ページプログラム時間 : 4.0 ms/256 バイト (typ), 5.0 ms/256バイト (max)
  • データ保持期間 : 20年

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Density

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tACC Max (ns)

VCC Min (V)

VCC Max (V)

I(standby) Max (µA)

Iact Max (mA)

T Min (°C)

T Max (°C)

Reference Price

LE25U20AFD-AH

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CAD Model

Pb

A

H

P

VSOIC-8 NB

753AA

3

260

REEL

3000

N

2 Mb

256k x 8

15

2.3

3.6

50

6

-40

85

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: LE25U20AFD-AH

Equivalent to wafer fab process: ONC18

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

ONC18

2

6465777234

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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